Besar resistansi tambahan pseudoresistor

[wenadinho]

Hi semua terutama microe ppl, saya perlu bantuan ur Saya menerapkan penyaring waktu yang besar yang konstan menggunakan pseudoresistor seperti pada gambar di bawah. Setelah simulasi perlawanan incremental adalah di kisaran ohm tera. Tidak ada arus biasing untuk transistor, karena saya yakin kedua transistor bekerja di wilayah inversi lemah. Namun, prof saya mengatakan bahwa karya-karya transistor yang lebih rendah dalam konfigurasi dioda reverse bias, karena arus yang melewati saluran hanya kebocoran arus. Apakah ini benar? Bagaimana cara membuktikannya? Pls help terima kasih

 

[Sudhir.K.A]

Hi wenadinho, Dalam rangkaian ini adalah dioda MOSFET baik terhubung. Gerbang transistor atas adalah Tiriskan symbolicaly. Tapi untuk sumber MOSFET dan emigrasi adalah saling dipertukarkan. Untuk PMOS Source selalu terhubung ke potensial yang lebih tinggi. Jadi terminal atas sekarang menjadi sumber. Karena sekarang Vgs = 0V transistor atas pasti cut-off. Jadi hanya arus kebocoran arus, karena transistor atas. Anda dapat memverifikasi ini dengan mensimulasikan transistor atas dan bawah secara terpisah. Transistor atas tidak akan melakukan. di mana sebagai transistor bawah akan melakukan.

 

[wenadinho]

Satu lagi, dalam makalah Harrison Reid "Sebuah rendah daya rendah-noise ...", ia menggunakan transistor mos-bipolar untuk mengimplementasikan pseudoresistor serupa. Ini adalah definisi dari mos bipolar:

Transistor - adalah MOS-bipolar bertindak sebagai pseudoresistors. Dengan negatif, fungsi masing-masing perangkat sebagai transistor PMOS diodeconnected. Dengan positif, parasit sumber-baik-drain pnp junction transistor bipolar (BJT) diaktifkan, dan perangkat bertindak sebagai BJT dioda-terhubung (lihat Gambar. 2). Setiap transistor berukuran 4 m 4 m. Untuk tegangan kecil di perangkat ini, resistansi tambahan yang sangat tinggi (lihat Gambar. 3).

Apakah ada yang memiliki penampang dari mos-bipolar, atau itu hanya sebuah istilah yang representatif?