kebisingan analisis untuk kebisingan yang rendah opamp

[_SquiD_]

Hai, guys!Aku harus membuat analisis kebisingan yang rendah berisik opamp.Dari mana saya bisa mendapatkan berikut:
- Kerlip koefisien KF kebisingan untuk NMOS dan PMOS;
- Gamma - transkonduktansi sebagian besar parameter;
- Potensial permukaan pada inversi kuat;
semua ini untuk gpdk nm ,180 teknologi?

Thanks in advance.PS: Beberapa informasi tambahan tentang analisis kebisingan dari LNA yang mungkin datang pada berguna itu akan disambut juga.

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="Senyum" border="0" />_SquiD_

 

[Blackuni]

Hai

Untuk model BSIM AF, KF akan tersedia dalam model definisi / model kartu.

Untuk gamma, Phi @ kuat pembalikan, U dapat menggunakan SPICE teststep untuk mengekstraknya.oleh ur calcualtions cara ini tidak akan menyimpang banyak dari simulaiton.

Untuk LNA, Harap pastikan bahwa ur menggunakan model dengan NQS disertakan.Plot kebisingan / memperoleh lingkaran dan melakukan pencocokan.

terima kasih,

 

[_SquiD_]

Blackuni wrote:Untuk model BSIM AF, KF akan tersedia dalam model definisi / model kartu.

 

[Blackuni]

Hai,

1) Berikut adalah contoh model Hspice kartu (i menemukan ini berguna), i berarti model MOS parameter yang disediakan oleh pengecoran.Saya harap u menemukannya!!.Juga silahkan periksa dokumentasi pengecoran
******************
. Nch3 MODEL NMOS (LMIN = '0 ,18 E-06-dxl3 '
NLEV = 3 AF = 0,9065 KF = 3.564E-24
LMAX = 2.1E-05 WMIN = '1 ,00 E-06-dxw3 'WMAX = 0,000101
TINGKAT = 49 TNOM = 25 VERSION = 3,1
********************

2) menulis netlist rempah-rempah atau menggambar skematik untuk NMOS tunggal atau PMOS, dengan tegangan biasing sedemikian rupa tht MOS Anda akan berada di inversi kuat / kejenuhan (vgs = VTh > 70mv), melakukan analisis titik operasi alat bumbu apapun .Lihat dokumentasi untuk itu alat untuk mencari cara untuk dump nilai-nilai ini (gamma, Phi @ kuat pembalikan)
Anda juga dapat berselancar ... ada sastra menjelaskan hal ini secara rinci. (petunjuk untuk mencari .. "Parameter MOSFET ekstraksi menggunakan tangan rempah-rempah untuk perhitungan)

3) NQS -> non quasi statis efek, untuk menjadi sederhana, dengan penundaan dalam tegangan gerbang perubahan ke saluran yang sesuai biaya.

Hope i am spesifik.Please let me know if i am tidak ..biarkan aku coba lagi.

Terima kasih,

 

[_SquiD_]

Apakah tidak ada cara untuk menentukan nilai-nilai ini dengan menggunakan irama IC5033?